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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJN965BU
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FJN965BU

更新时间： 2024-09-20 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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FJN965BU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FJN965BU 数据手册

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FJN965  
For Output Amplifier of Electronic Flash Unit  
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
High Performance at Low Supply Voltage  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
7
5
V
I
A
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.75  
W
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
20  
7
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =1mA, I =0  
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I =100µA, I =0  
V
C
C
I
I
I
V
=10V, I =0  
0.1  
1
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CE  
EB  
E
V
V
=10V, I =0  
B
CEO  
EBO  
=7V, I =0  
0.1  
600  
C
h
h
V
V
=2V, I =0.5A  
230  
150  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=2V, I =2A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Band Width Product  
Collector Output Capacitance  
I =3A, I =0.1A  
1
V
CE  
C
B
f
V
=6V, I =50mA  
150  
23  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=20V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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