是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time: | 10 weeks |
风险等级: | 1.92 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, PD-CASE |
应用: | EFFICIENCY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON CARBIDE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.75 V | JEDEC-95代码: | TO-220AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 115 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 15 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大功率耗散: | 300 W | 最大重复峰值反向电压: | 1200 V |
最大反向电流: | 200 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FFSP1665A | ONSEMI |
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SiC 二极管,650V,16A,TO-220-2 | |
FFSP20120A | ONSEMI |
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SiC 二极管,1200V,20A,TO-220-2 | |
FFSP2065A | ONSEMI |
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SiC 二极管,650V,20A,TO-220-2 | |
FFSP2065B | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSP2065BDN-F085 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS | |
FFSP2065B-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSP3065A | ONSEMI |
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碳化硅肖特基二极管 | |
FFSP3065B | ONSEMI |
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Silicon Carbide Schottky Diode 650V 30A TO220 | |
FFSP3065B-F085 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS | |
FFSP4065BDN-F085 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS |