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FDY3000NZ

更新时间： 2024-01-24 12:03:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 456K
描述
双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，0.6A，700mΩ

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FDY3000NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
其他特性：ESD PROTECTION配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.6 A
最大漏极电流 (ID)：0.6 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDY3000NZ 数据手册

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Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain–Source Breakdown  
20  
V
VGS = 0 V,  
ID = 250 PA  
Voltage  
Breakdown Voltage Temperature  
14  
'BVDSS  
ꢀꢀꢀ'TJ  
IDSS  
ID = 250 PA, Referenced to 25qC  
mV/qC  
Coefficient  
Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 16 V,  
VGS = 0 V  
VGS = r 12 V, VDS = 0 V  
VGS = r 4.5 V, VDS = 0 V  
1
r 10  
r 1  
PA  
PA  
PA  
IGSS  
Gate–Body Leakage,  
On Characteristics  
(Note 2)  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
0.6  
1.0  
– 3  
1.3  
V
V
DS = VGS  
,
ID = 250 PA  
Gate Threshold Voltage  
'VGS(th)  
ꢀꢀꢀ'TJ  
RDS(on)  
ID = 250 PA, Referenced to 25qC  
mV/qC  
Temperature Coefficient  
Static Drain–Source  
On–Resistance  
VGS = 4.5 V,  
VGS = 2.5 V,  
VGS = 1.8 V,  
VGS = 4.5 V, ID=600mA, TJ = 125qC  
VDS = 5 V,  
ID = 600 mA  
ID = 500 mA  
ID = 150 mA  
0.25 0.70  
0.37 0.85  
0.73 1.25  
0.35 1.00  
:
gFS  
Forward Transconductance  
ID = 600 mA  
1.8  
S
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
60  
20  
10  
pF  
pF  
pF  
VDS = 10 V,  
f = 1.0 MHz  
V GS = 0 V,  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 2)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn–On Delay Time  
Turn–On Rise Time  
Turn–Off Delay Time  
Turn–Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
6
8
12  
16  
ns  
ns  
VDD = 10 V,  
VGS = 4.5 V,  
ID = 1 A,  
RGEN = 6 :  
8
16  
ns  
2.4  
0.8  
0.16  
0.26  
4.8  
1.1  
ns  
Qg  
Qgs  
Qgd  
nC  
nC  
nC  
VDS = 10 V,  
ID = 600 mA,  
VGS = 4.5 V  
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
VSD  
Drain–Source Diode Forward  
Voltage  
VGS = 0 V, IS = 150 mA (Note 2)  
0.7  
1.2  
V
trr  
Diode Reverse Recovery Time  
IF = 600 mA,  
dIF/dt = 100 A/µs  
8
1
nS  
nC  
Qrr  
Diode Reverse Recovery Charge  
Notes:  
1.  
RTJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of  
the drain pins. RTJC is guaranteed by design while RTCA is determined by the user's board design  
a)  
200°C/W when  
b) 280°C/W when mounted on a  
minimum pad of 2 oz copper  
Scale 1 : 1 on letter size paper  
mounted on a 1in2 pad  
of 2 oz copper  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300Ps,  
Duty Cycle < 2.0%  
3. The diode connected between the gate  
and source serves only as protection  
againts ESD. No gate overvoltage  
rating is implied.  
FDY3000NZ Rev B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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