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FDY3000NZ

更新时间: 2024-02-28 00:55:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 456K
描述
双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,0.6A,700mΩ

FDY3000NZ 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:1 week风险等级:0.95
其他特性:ESD PROTECTION配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.6 A
最大漏极电流 (ID):0.6 A最大漏源导通电阻:0.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDY3000NZ 数据手册

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SOT−563  
CASE 419BH  
ISSUE O  
1.70  
1.50  
A
B
6
1
4
1.42  
0.72  
1.30  
1.10  
1.70  
1.50  
0.1 C B A  
3
0.30  
0.50  
0.20  
0.50  
0.50  
LAND PATTERN  
RECOMMENDATION  
TOP VIEW  
0.60  
0.50  
C
SEATING PLANE  
0.10  
0.00  
0.20  
0.08  
0.05 C  
C
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
A. REFERENCE TO JEDEC MO293.  
B. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.  
C
DOES NOT COMPLY JEDEC STANDARD VALUE  
0.30  
0.10  
0.46  
0.20  
C
D. DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS,  
MOLD FLASH AND TIE BAR PROTRUSION.  
E. DIMENSION AND TOLERANCE AS PER ASME  
Y14.5−2009.  
F. LANDPATTERN RECOMMENDATION GENERATED  
WITH IPC LANDPATTERN GENERATOR  
0.31  
0.15  
0.10  
0.05  
M
M
C A B  
C
BOTTOM VIEW  

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