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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.078 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS2070N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS21 | FS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
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| FDS2170N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET |
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| FDS2170N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS2170N7-BDA001B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS21S | FS |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode |
|
| FDS21ST1G | FS |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode |
|
| FDS21ST3G | FS |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode |
|
| FDS21U | FS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
|
| FDS222 | FS |
获取价格 |
Common Cathode Silicon Dual Switching Diode |
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