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FDS2572-G

更新时间： 2024-10-14 21:20:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
12页 273K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDS2572-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDS2572-G 数据手册

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October 2001  
FDS2572  
®
150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET  
General Description  
Features  
®
UltraFET devices combine characteristics that enable  
•
•
•
•
•
R
= 0.040Ω (Typ.), V = 10V  
DS(ON)  
GS  
benchmark efficiency in power conversion applications.  
Optimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gate  
charge, these devices are ideal for high frequency DC to  
DC converters.  
Q
= 29nC (Typ.), V = 10V  
g(TOT)  
GS  
Low Q Body Diode  
RR  
Maximized efficiency at high frequencies  
UIS Rated  
Applications  
•
•
•
•
DC/DC converters  
Telecom and Data-Com Distributed Power Architectures  
48-volt I/P Half-Bridge/Full-Bridge  
24-volt Forward and Push-Pull topologies  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D  
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
MOSFET Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
o
4.9  
3.1  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
I
D
o
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
2.5  
20  
W
mW/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
(NOTE1)  
(NOTE2)  
(NOTE2)  
25  
50  
85  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Case at 10 seconds  
Thermal Resistance Junction to Case at steady state  
C/W  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDS2572  
FDS2572  
330mm  
2500units  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS2572 Rev. B, October 2001  
1234567...12

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与FDS2572-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS2582 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 4.1A, 66mз
FDS2582 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，4.1A，66mΩ
FDS2582_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS2670 FAIRCHILD

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FDS2670 ONSEMI

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