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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS2670F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS2670L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS2670L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDS2672 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, |
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| FDS2672 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，200V，3.9A，70mΩ |
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| FDS2672 (KDS2672) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDS2672_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET |
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| FDS2672_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDS2672-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET® 沟槽，200V，3.9A，70mΩ |
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| FDS2734 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm |
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