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FDS2572

更新时间： 2024-10-13 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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12页 275K
描述
150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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FDS2572 数据手册

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October 2001  
FDS2572  
®
150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET  
General Description  
Features  
®
UltraFET devices combine characteristics that enable  
•
•
•
•
•
R
= 0.040Ω (Typ.), V = 10V  
DS(ON)  
GS  
benchmark efficiency in power conversion applications.  
Optimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gate  
charge, these devices are ideal for high frequency DC to  
DC converters.  
Q
= 29nC (Typ.), V = 10V  
g(TOT)  
GS  
Low Q Body Diode  
RR  
Maximized efficiency at high frequencies  
UIS Rated  
Applications  
•
•
•
•
DC/DC converters  
Telecom and Data-Com Distributed Power Architectures  
48-volt I/P Half-Bridge/Full-Bridge  
24-volt Forward and Push-Pull topologies  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D  
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
MOSFET Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
o
4.9  
3.1  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
I
D
o
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
2.5  
20  
W
mW/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
(NOTE1)  
(NOTE2)  
(NOTE2)  
25  
50  
85  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Case at 10 seconds  
Thermal Resistance Junction to Case at steady state  
C/W  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDS2572  
FDS2572  
330mm  
2500units  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS2572 Rev. B, October 2001  
1234567...12

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FDS2572 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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