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FDS2572_NL

更新时间： 2024-10-14 20:06:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 270K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8

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FDS2572_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：PLASTIC, SO-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.9 A最大漏极电流 (ID)：4.9 A
最大漏源导通电阻：0.053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS2572_NL 数据手册

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October 2001  
FDS2572  
®
150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET  
General Description  
Features  
®
UltraFET devices combine characteristics that enable  
•
•
•
•
•
R
= 0.040Ω (Typ.), V = 10V  
DS(ON)  
GS  
benchmark efficiency in power conversion applications.  
Optimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gate  
charge, these devices are ideal for high frequency DC to  
DC converters.  
Q
= 29nC (Typ.), V = 10V  
g(TOT)  
GS  
Low Q Body Diode  
RR  
Maximized efficiency at high frequencies  
UIS Rated  
Applications  
•
•
•
•
DC/DC converters  
Telecom and Data-Com Distributed Power Architectures  
48-volt I/P Half-Bridge/Full-Bridge  
24-volt Forward and Push-Pull topologies  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D  
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
MOSFET Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
o
4.9  
3.1  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
I
D
o
o
Continuous (T = 100 C, V = 10V, R  
= 50 C/W)  
C
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
2.5  
20  
W
mW/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
(NOTE1)  
(NOTE2)  
(NOTE2)  
25  
50  
85  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Case at 10 seconds  
Thermal Resistance Junction to Case at steady state  
C/W  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDS2572  
FDS2572  
330mm  
2500units  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS2572 Rev. B, October 2001  
1234567...12

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与FDS2572_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS2572-G FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS2582 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 4.1A, 66mз
FDS2582 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，4.1A，66mΩ
FDS2582_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS2670 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2670 ONSEMI

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 		200V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 3.0A，130mΩ
FDS2670_01 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2670_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS2670D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS2670F011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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