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FDPF10N50UT PDF预览

FDPF10N50UT

更新时间： 2024-11-20 19:56:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 581K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN

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FDPF10N50UT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：1.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDPF10N50UT 数据手册

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November 2013  
FDPF10N50UT  
N-Channel UniFET Ultra FRFET MOSFET  
500 V, 8 A, 1.05 Ω  
TM  
TM  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 850 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 4 A  
Low Gate Charge (Typ. 18 nC)  
Low Crss (Typ. 9 pF)  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage  
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.  
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to  
provide better switching performance and higher avalanche  
energy strength. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET has much  
superior body diode reverse recovery performance. Its trr is less  
than 50nsec and the reverse dv/dt immunity is 20V/nsec while  
normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec  
respectively. Therefore UniFET Ultra FRFET MOSFET can  
remove additional component and improve system reliability in  
certain applications that require performance improvement of the  
MOSFET’s body diode. This device family is suitable for  
switching power converter applications such as power factor  
correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and  
electronic lamp ballasts.  
Fast Switching  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
LCD/LED/PDP TV  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
D
G
G
D
S
TO-220F  
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDPF10N50UT  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
8*  
ID  
Drain Current  
A
4.8*  
32*  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
320  
8
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.5  
20  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate Above 25oC  
42  
PD  
Power Dissipation  
0.33  
-55 to +150  
300  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
RθJA  
Parameter  
Unit  
FDPF10N50UT  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
3.0  
oC/W  
62.5  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDPF10N50UT Rev. C1  
1
12345678

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