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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 335 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
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| FDPF12N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDPF12N50FT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
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| FDPF12N50FT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，11.5 A，7 |
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| FDPF12N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFETï |
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| FDPF12N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m |
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| FDPF12N50T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDPF12N50T | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，11.5 A，650 mΩ，T |
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| FDPF12N50UT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFETï |
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| FDPF12N50UT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，500 V，1 |
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