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FDPF10N60ZUT

更新时间： 2024-11-24 10:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 555K
描述
N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω

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FDPF10N60ZUT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDPF10N60ZUT 数据手册

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April 2009  
UniFETTM  
FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT  
tm  
N-Channel MOSFET, FRFET  
600V, 9A, 0.8Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A  
Low gate charge ( Typ. 31nC)  
Low Crss ( Typ. 15pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP10N60ZU FDPF10N60ZUT Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
9
9*  
ID  
Drain Current  
A
5.4  
36  
5.4*  
36*  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
100  
9
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
18  
20  
mJ  
V/ns  
W
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
180  
42  
PD  
Power Dissipation  
1.45  
0.3  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP10N60ZU FDPF10N60ZUT Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.7  
0.5  
3.0  
-
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP10N60ZU/FDPF10N60ZUT Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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与FDPF10N60ZUT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF10N60ZUT_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω
FDPF12N35 FAIRCHILD

获取价格

 		350V N-Channel MOSFET
FDPF12N50 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDPF12N50F FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDPF12N50FT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ
FDPF12N50FT ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，11.5 A，7
FDPF12N50NZ FAIRCHILD

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 		N-Channel UniFETTM II MOSFETï€
FDPF12N50NZ ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，11.5 A，520 m
FDPF12N50T FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDPF12N50T ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，11.5 A，650 mΩ，T

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