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FDMS10C4D2N

更新时间： 2023-09-03 20:36:52

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安森美 - ONSEMI		/
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8页	410K
描述
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，124A，4.2mΩ

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FDMS10C4D2N 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

0.001

NOTES:

(t) = r(t) x R

θJC

SINGLE PULSE

= 1.0 C/W

θJC

Peak T = P

x Z (t) + T

θJC C

Duty Cycle, D = t / t

10^-5

10^-4

10^-3

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)

10^-2

10^-1

Figure 13. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve

FDMS10C4D2N Rev. 1.0

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMS1D2N03DSD	ONSEMI	PowerTrench® Power Clip Asymmetric Dual N-Cha	获取价格
FDMS1D4N03S	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® SyncFETTM，30V，211A，1.09mΩ	获取价格
FDMS1D5N03	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® SyncFETTM，30V，218A，1.15mΩ	获取价格
FDMS2380	FAIRCHILD	Dual Integrated Solenoid Driver	获取价格
FDMS2502SDC	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
FDMS2504SDC	FAIRCHILD	N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench® SyncFETTM, 8LD, DUAL COOL PQFN, JEDEC MO-240	获取价格