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FDG6313N PDF预览

FDG6313N

更新时间： 2024-09-15 21:54:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
Dual N-Channel, Digital FET

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FDG6313N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SC70-6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG6313N 数据手册

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April 2002  
FDG6313N  
Dual N-Channel, Digital FET  
General Description  
Features  
25 V, 0.50 A continuous, 1.5 A peak.  
These dual N-Channel logic level enhancement mode  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance. This device has been  
designed especially for low voltage applications as a  
replacement for bipolar digital transistors and small  
RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V,  
DS(ON) =0.60 Ω @ VGS= 2.7 V.  
R
Very low level gate drive requirements allowing direct  
operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).  
Gate-Source Zener for ESD ruggedness  
(>6kV Human Body Model).  
signal MOSFETs.  
Compact industry standard SC70-6 surface  
mount package.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-23  
SC70-6  
SOT-223  
S2  
1 or 4  
2 or 5  
*
6 or 3  
5 or 2  
G2  
D1  
D2  
G1  
S1  
4 or 1  
*
3 or 6  
SC70-6  
* The pinouts are symmetrical; pin 1 and 4 are interchangeable.  
Units inside the carrier can be of either orientation and will not affect the functionality of the device.  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDG6313N  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain/Output Current  
25  
- 0.5 to +8  
V
- Continuous  
- Pulsed  
0.5  
1.5  
A
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1)  
0.3  
W
°C  
kV  
TJ,TSTG  
ESD  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
6.0  
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D  
Human Body Model (100 pF / 1500 Ω)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
415  
°C/W  
θJA  
FDG6313N Rev.A  
12345

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FDG6313N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG6313N_NL FAIRCHILD

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC6303N FAIRCHILD

类似代替

 Digital FET, Dual N-Channel
FDG6303N FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel, Digital FET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG6313N_NL FAIRCHILD

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FDG6316P_NL FAIRCHILD

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