FDFS2P102A

更新时间： 2024-09-24 22:22:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFS2P102A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.3 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDFS2P102A 数据手册

August 2001

FDFS2P102A

Integrated P-Channel PowerTrench^MOSFET and Schottky Diode

General Description

Features

The

FDFS2P102A

combines

the

exceptional

• –3.3 A, –20V R_DS(ON)= 125 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 200 mΩ @ V_GS= –4.5 V

performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET

technology with

a very low forward voltage drop

Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.

• V < 0.39 V @ 1 A (T_J= 125°C)

V < 0.47 V @ 1 A

V < 0.58 V @ 2 A

This device is designed specifically as a single package

solution for DC to DC converters. It features a fast

switching, low gate charge MOSFET with very low on-

state resistance.

The independently connected

• Schottky and MOSFET incorporated into single

power surface mount SO-8 package

Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC

converter topologies.

• Electrically independent Schottky and MOSFET

pinout for design flexibility

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

MOSFET Drain-Source Voltage

MOSFET Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

Ratings

–20

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

(Note 1a)

–3.3

–10

1.6

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

T_J, T_STG

V_RRM

I_O

Operating and Storage Junction Temperature Range

Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage

°C

–55 to +150

Schottky Average Forward Current

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

12mm

Quantity

2500 units

FDFS2P102A

13’’

FDFS2P102A Rev A1(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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