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FDD8647L

更新时间: 2024-02-18 15:59:48
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安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 474K
描述
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,42A,9mΩ

FDD8647L 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:26 weeks风险等级:0.94
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/167027.5.5.pngSchematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167027
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1670273D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167027
Samacsys PartID:167027Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDD8647L.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/5/FDD8647L.jpgSamacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:FDD8647L-1Samacsys Released Date:2015-07-12 18:27:54
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):33 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):52 A
最大漏极电流 (ID):14 A最大漏源导通电阻:0.009 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):43 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDD8647L 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
D = 0.5  
0.2  
P
0.1  
0.1  
0.01  
DM  
0.05  
0.02  
0.01  
t
1
t
2
NOTES:  
DUTY FACTOR: D = t /t  
1
2
SINGLE PULSE  
RθJC = 2.9 oC/W  
PEAK T = P  
J
x Z  
x R + T  
C
DM  
θJC  
θJc  
0.001  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)  
Figure 13. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve  
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.1  
0.01  
P
DM  
t
1
t
2
NOTES:  
DUTY FACTOR: D = t /t  
SINGLE PULSE  
RθJA = 96 oC/W  
1
2
PEAK T = P  
J
x Z  
x R  
+ T  
DM  
θJA  
θJA A  
(
Note 1b  
)
0.001  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)  
1
10  
100  
1000  
Figure 14. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8647L Rev. 1.2  
www.fairchildsemi.com  
5

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