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FDC3512L99Z

更新时间： 2024-02-24 12:35:33

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	133K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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技术参数
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FDC3512L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC3512L99Z 数据手册

Typical Characteristics

1000

800

600

400

200

f = 1MHz

_GS= 0 V

I_D= 3.0A

V_DS= 20V

40V

C_ISS

60V

C_OSS

C_RSS

Q_g, GATE CHARGE (nC)

-V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 7. Gate Charge Characteristics.

Figure 8. Capacitance Characteristics.

100

SINGLE PULSE

_θJA= 156°C/W

T_A= 25°C

R_DS(ON)LIMIT

100µs

1ms

10ms

100ms

10s

V_GS= 10V

SINGLE PULSE

0.1

0.01

_θJA= 156^oC/W

T_A= 25^oC

0.1

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

t₁, TIME (sec)

Figure 9. Maximum Safe Operating Area.

Figure 10. Single Pulse Maximum

Power Dissipation.

D = 0.5

_θJA(t) = r(t) + R_θJA

_θJA= 156°C/W

0.2

0.1

0.05

P(pk)

0.02

0.01

t₁

t₂

0.01

SINGLE PULSE

_J- T_A= P * R_θJA(t)

Duty Cycle, D = t₁/ t₂

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

t₁, TIME (sec)

Figure 11. Transient Thermal Response Curve.

Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.

Transient thermal response will change depending on the circuit board design.

FDC3512 Rev B2(W)

1 2 345

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与FDC3512L99Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDC3535	ONSEMI	-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET	获取价格
FDC3600	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM),	获取价格
FDC3601N	FAIRCHILD	Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET	获取价格
FDC3601N	ONSEMI	双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ	获取价格
FDC3601N_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
FDC3601ND84Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格