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FDC2512_NL

更新时间： 2024-11-20 21:21:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC2512_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.4 A最大漏极电流 (ID)：1.4 A
最大漏源导通电阻：0.425 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC2512_NL 数据手册

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February 2002  
FDC2512  
150V N-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 1.4 A, 150 V.  
RDS(ON) = 425 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 475 mΩ @ VGS = 6 V  
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
•
•
•
Low gate charge (8nC typ)  
• DC/DC converter  
High power and current handling capability  
Fast switching speed  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
150  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
20  
1.4  
8
1.6  
0.8  
(Note 1a)  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.252  
FDC2512  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC2512 Rev B3 (W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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