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FDC2612_NF073

更新时间： 2024-11-18 18:36:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 197K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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FDC2612_NF073 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.725 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC2612_NF073 数据手册

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February 2002  
FDC2612  
200V N-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 1.1 A, 200 V.  
RDS(ON) = 725 mΩ @ VGS = 10 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
• Fast switching speed  
Applications  
• DC/DC converter  
• Low gate charge (8nC typical)  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
200  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
20  
1.1  
4
1.6  
0.8  
(Note 1a)  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.262  
FDC2612  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC2612 Rev B3 (W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC2612_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDC2612D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDC2612S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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