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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDC2512-G
FDC2512-G PDF预览

FDC2512-G

更新时间： 2024-11-20 13:07:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 177K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDC2512-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDC2512-G 数据手册

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February 2002  
FDC2512  
150V N-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 1.4 A, 150 V.  
RDS(ON) = 425 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 475 mΩ @ VGS = 6 V  
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
•
•
•
Low gate charge (8nC typ)  
• DC/DC converter  
High power and current handling capability  
Fast switching speed  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
150  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
20  
1.4  
8
1.6  
0.8  
(Note 1a)  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.252  
FDC2512  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC2512 Rev B3 (W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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