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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB33N25
FDB33N25 PDF预览

FDB33N25

更新时间： 2024-02-21 23:36:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 679K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FDB33N25 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.91
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=978778PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=978778
Samacsys PartID：978778Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/FDB33N25TM.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDB33N25TM.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：D2PAK?3 (TO?263, 3?LEAD) CASE 418AJ ISSUE CSamacsys Released Date：2019-01-23 16:49:52
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：918 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A最大漏极电流 (ID)：33 A
最大漏源导通电阻：0.094 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：235 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：132 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB33N25 数据手册

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September 2005  
TM  
UniFET  
FDB33N25  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
33A, 250V, R  
= 0.094Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 36.8 nC)  
Low C ( typical 39 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
D
z
ꢀ ꢁ  
z
z
{
G
{
S
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDB33N25  
Unit  
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
250  
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
33  
20.4  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
132  
30  
A
V
DM  
V
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
918  
33  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
235  
W
D
C
- Derate above 25°C  
1.89  
W/°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.53  
40  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
θJC  
*
θJA  
θJA  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB33N25 Rev A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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