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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 165 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCX619Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 50V, 3A, SOT89 |
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| FCX619QTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| FCX619TA | DIODES |
获取价格 |
50V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
|
| FCX634 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.9A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89 |
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| FCX649 | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
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| FCX649TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| FCX653 | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
|
| FCX653TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FCX658A | TYSEMI |
获取价格 |
400 Volt VCEO, Optimised hfe characterised upto 200mA |
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| FCX658A | DIODES |
获取价格 |
SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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