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FCX658A

更新时间: 2024-11-17 22:31:47
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FCX658A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOT-89, 3 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.52外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):35
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

FCX658A 数据手册

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SOT89 NPN SILICON PLANAR  
FCX658A  
MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 1 – NOVEMBER 2000  
FEATURES  
C
*
*
*
*
400 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot=1 Watt  
Optimised hfe characterised upto 200mA  
E
C
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Telephone dialler circuits  
Hook switches for modems  
Predrivers within HID lamp ballasts  
(SLIC) Subscriber Line Interface Cards  
B
SOT89  
Partmarking Detail - 65A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
400  
5
V
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
IC  
500  
mA  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  

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