FCX690B

更新时间： 2024-11-17 22:31:47

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捷特科 - ZETEX		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX690B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FCX690B 数据手册

SOT89 NPN SILICON POWER

FCX690B

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 1 - MARCH 1999

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

6A Peak Pulse Current

Gain of 400 @I_C=1Amp

Very Low Saturation Voltage

Complimentary Type -

Partmarking Detail -

FCX790A

690

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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