FCX617

更新时间： 2024-11-05 10:31:59

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美台 - DIODES		晶体开关小信号双极晶体管
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3页	76K
描述
SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX617 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

FCX617 数据手册

SOT89 NPN SILICON POWER

FCX617

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 1 - NOVEMBER 1998

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

12A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics up to 12 Amps

Extremely Low Saturation Voltage E.g. 8mv Typ.

Extremely Low Equivalent On-resistance;

_CE(sat)50mΩ at 3A

Partmarking Detail -

617

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

500

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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