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FCX495

更新时间： 2024-11-21 10:31:59
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 294K
描述
SOT89 NPN silicon planar high voltage transistor

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FCX495 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.27Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FCX495 数据手册

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FCX495  
SOT89 NPN silicon planar high voltage transistor  
Features  
E
•
•
150 Volt V  
CEO  
1 Amp continuous current  
C
B
C
Device marking  
N95  
Pinout - top view  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
V
170  
V
CBO  
CEO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Continuous collector current  
Peak pulse current  
150  
V
V
5
EBO  
IC  
1
2
A
A
ICM  
Base current  
I
200  
1
mA  
W
°C  
B
Power dissipation at T  
= 25°C  
P
tot  
amb  
Operating and storage temperature range  
T :T  
-65 to +150  
j
stg  
Electrical characteristics (at T  
Parameter  
= 25°C)  
amb  
Symbol  
Min. Max. Unit Conditions  
Breakdown voltages  
V
170  
V
I =100µA  
(BR)CBO  
CEO(sus)  
C
(*)  
V
150  
V
I =10mA  
C
V
5
V
nA  
nA  
V
I =100µA  
E
(BR)EBO  
Collector cut-off currents  
Emitter cut-off current  
I
I
, I  
100  
100  
0.2  
V
V
=150V, V =150V  
CBO CES  
CB  
EB  
CE  
=4V  
EBO  
(*)  
(*)  
(*)  
(*)  
Emitter saturation voltages  
V
I =250mA, I =25mA  
CE(sat)  
C
B
0.3  
1.0  
1.0  
300  
V
V
V
I =500mA, I =50mA  
C
B
V
V
I =500mA, I =50mA  
BE(sat)  
BE(on)  
FE  
C
B
Base-emitter turn on voltage  
I =500mA, V =10V  
C
CE  
Static forward current transfer  
ratio  
h
100  
100  
I =1mA, V =10V  
C CE  
(*)  
(*)  
I =250mA, V =10V  
C
CE  
50  
10  
I =500mA, V =10V  
C
CE  
(*)  
I =1A, V =10V  
C
CE  
Transition frequency  
f
100  
MHz I =50mA, V =10V  
T
C
CE  
f=100MHz  
Collector-base breakdown voltage  
C
10  
pF  
V
=10V, f=1MHz  
obo  
CB  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300␮s. Duty cycle Յ2%  
Issue 4 - May 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  
123456

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