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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 1.03 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCX558TC | DIODES |
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暂无描述 |
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| FCX589 | ZETEX |
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
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| FCX589 | DIODES |
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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM |
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| FCX589 | KEXIN |
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Power High Performance Transistor |
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| FCX589 | TYSEMI |
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PNP silicon planar medium |
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| FCX589TA | DIODES |
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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
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| FCX589TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 |
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| FCX591 | DIODES |
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SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| FCX591 | HTSEMI |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| FCX591 | TYSEMI |
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Power Collector dissipation: PC=1W, Continuous Collector Current: IC=-1A |
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