FCX589

更新时间： 2024-11-21 10:31:59

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描述
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

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FCX589 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.3	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

FCX589 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

FCX589

POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

✪

PARTMARKING DETAIL –

P89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

Pe ak Pu ls e Cu rren t

-50

-30

-5

-2

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Bas e Cu rren t

I_C

-1

-200

I_B

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

P_{to t}

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

V_(BR)CBO-50

V_(BR)CEO-30

V_(BR)EBO-5

I_CBO

MAX.

UNIT

CONDITIONS .

Bre akd o w n Vo ltag es

I_C=-100µA

I_C=-10m A*

I_E=-100µA

V_CB=-30V

V_CES=-30V

Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t

-100

n A

Co lle cto r -Em itte r Cu t-Off

Cu rre n t

I_CES

Em itte r Cu t-Off Cu rren t

I_EBO

-100

n A

V_EB=-4V

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

-0.35

-0.65

I_C=-1A, I_B=-100m A*

I_C=-2A, I_B=-200m A*

Bas e -Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{BE(s a t)}

V_{BE(o n )}

-1.2

I_C=-1A, I_B=-100m A*

Bas e -Em itte r

-1.1

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Tu rn -o n Vo ltag e

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t Tran s fer h _FE

Ratio

100

I_C=-1m A, V_CE=-2V*

I_C=-500m A, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

300

Tra n s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

100

MHz

p F

I_C=-100m A, V_CE=-5V

f=100MHz

C_{o b o}

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet

3 - 91

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FCX589TA	DIODES	获取价格	SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FCX589TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
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