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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FCX491QTA
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FCX491QTA

更新时间： 2024-11-06 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 17K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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FCX491QTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

FCX491QTA 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FCX491  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
*
60 Volt VCEO  
1 Am p continuous current  
C
P
tot= 1 Watt  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FCX591  
N1  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Em itter Voltage  
60  
V
Em itter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
1
A
ICM  
2
A
Power Dissipation at Tam b=25°C  
Operating and Storage Tem perature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
1
W
°C  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
= 25°C).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
ICBO  
80  
V
IC=100µA  
IC=10m A*  
IE=100µA  
VCB=60V,  
VCE=60V  
VEB=4V  
60  
5
V
V
Collector Cut-Off Currents  
Em itter Cut-Off Current  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
ICES  
IEBO  
Collector-Em itter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
0.50  
V
V
IC=500m A, IB=50m A*  
IC=1A, IB=100m A*  
Base-Em itter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=1A, IB=100m A*  
Base-Em itter  
Turn On Voltage  
1.0  
V
IC=1A, VCE=5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
80  
IC=1m A, VCE=5V  
IC=500m A, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
IC=2A, VCE=5V*  
300  
10  
30  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50m A, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
Breakdown Voltage  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT491 datasheet  
3 - 86  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FCX491TA DIODES

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