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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FCPF7N60YDTU
FCPF7N60YDTU PDF预览

FCPF7N60YDTU

更新时间： 2024-11-16 03:35:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 413K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FCPF7N60YDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FCPF7N60YDTU 数据手册

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June 2008  
TM  
SuperFET  
FCP7N60/FCPF7N60/FCPF7N60YDTU  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
650V @TJ = 150°C  
SuperFETTM is, Fairchild’s proprietary, new generation of high  
voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge  
balance mechanism for outstanding low on-resistance and  
lower gate charge performance.  
Typ. Rds(on)=0.53Ω  
Ultra low gate charge (typ. Qg=25nC)  
Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=60pF)  
100% avalanche tested  
This advanced technology has been tailored to minimize con-  
duction loss, provide superior switching performance, and with-  
stand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.  
Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC  
power conversion in switching mode operation for system min-  
iaturization and higher efficiency.  
D
{
z
ꢀ
ꢁ
z
z
G
{
TO-220F  
FCPF Series  
TO-220  
FCP Series  
G D  
S
G
D S  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FCP7N60  
FCPF7N60  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
600  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
7
4.4  
7*  
4.4*  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
21  
21*  
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
± 30  
230  
7
V
mJ  
A
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
8.3  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
83  
31  
W
- Derate above 25°C  
0.67  
0.25  
W/°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FCP7N60  
1.5  
FCPF7N60  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
4.0  
62.5  
62.5  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FCP7N60/FCPF7N60/FCPF7N60YDTU Rev. A  
1234567...11

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FCPF7N60YDTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FCPF7N60NT FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 6.8 A, 520
FCPF7N60 FAIRCHILD

类似代替

 600V N-Channel MOSFET
FCPF7N60 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，7 A

与FCPF7N60YDTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FCPF850N80Z ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，6 A，850 mΩ，
FCPF9N60NT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω
FCPF9N60NT ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 9A, 385mΩ
FCPF9N60NTYDTU ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 9A, 385mΩ
FCPH1280-10 SYNERGY

获取价格

 		FIXED FREQUENCY SYNTHESIZER
FCPH243250-100 SYNERGY

获取价格

 		SELECTABLE FREQUENCY SYNTHESIZER
FCPI1-C20 PANDUIT

获取价格

 		Flat Cable Mounting System – FCB Base and F
FCPI2-C20 PANDUIT

获取价格

 		Flat Cable Mounting System – FCB Base and F
FCPI3-C20 PANDUIT

获取价格

 		Flat Cable Mounting System – FCB Base and F
FCP-KIT1 CDE

获取价格

 		CAP KIT FILM 100PF-0.1UF 204PCS

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