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FCQ08A03L

更新时间： 2024-09-18 21:16:03

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NIEC		/
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1页	287K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon,

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FCQ08A03L 数据手册

8A Avg.

30 Volts

SBD

FCQ08A03L

■最大定格ꢀMaximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

V_RRSM

I_O

Conditions

Unit

く

り返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

くり返しピークサージ逆電圧

Repetitve Peak Surge Reverse Voltage

35 pulse width ≦ 1μs duty ≦ 1/50

平

均

整

流

電

流

50Hz、正弦全波抵抗負荷

Tc＝123℃

Average Rectified Output Current

50Hz Full Sine Wave Resistive Load

実

効

順

電

I_F(RMS)

I_FSM

8.89

RMS Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し

100

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度範囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度

範

囲

T_stg

F_tor

－40～＋150

℃

Storage Temperature Range

締

付

ト

ル

ク

推奨値

Recommended Value

0.5

N･m

Mounting torque

■APPROX. NET WEIGHT:1.75 g

■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

一素子あたりꢀ

Per Diode

－

0.49

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

T_j＝25℃, I_FM＝4A, ^{一素子あたりꢀ}

V_FM

－

Peak Forward Voltage

Per Diode

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

R_th(c-f)

－

℃/W

熱

抵

抗

Thermal Resistance

ケース・フィン間

Cace to Fin

－

1.5

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.2

FIG.3

FIG.4

FIG.5

FIG.6

FIG.7

415

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