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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.005 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 18000 V | 最大反向恢复时间： | 0.08 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ESJA53-18A | TI |
获取价格 |
5.0mA 18kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode |
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| ESJA53-18A | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Silicon Diode |
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| ESJA53-18A | HVGT |
获取价格 |
5mA 18kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES |
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| ESJA53-18A | SUNMATE |
获取价格 |
High voltage diode High voltage diode 18kv-20kv |
|
| ESJA53-18AT | ETC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE GP DIODE |
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| ESJA53-20 | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Silicon Diode |
|
| ESJA53-20 | FRONTIER |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, Silicon |
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| ESJA53-20A | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Silicon Diode |
|
| ESJA53-20A | HVGT |
获取价格 |
5mA 20kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| ESJA53-20A | SUNMATE |
获取价格 |
High voltage diode High voltage diode 18kv-20kv |
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