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ESD7181MUT5G

更新时间： 2024-11-17 01:23:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 119K
描述
Low Capacitance ESD Protection Diodes

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ESD7181MUT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PBCC-N2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.31
Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - ESD7181MUT5G - DIODE, ESD PROTECTION, 18.5V, X3DFN-2其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：35 V最小击穿电压：20.5 V
击穿电压标称值：20.5 V最大钳位电压：41.1 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.25 W
参考标准：IEC-61000-4-2, 4-5最大重复峰值反向电压：18.5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

ESD7181MUT5G 数据手册

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ESD7181, SZESD7181  
Low Capacitance ESD  
Protection Diodes  
Micro−package Diodes for ESD Protection  
The ESD7181 is designed to protect voltage sensitive components  
that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage  
events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage,  
and fast response time make these parts ideal for ESD protection on  
designs where board space is at a premium. It has industry leading  
capacitance linearity over voltage making it ideal for RF applications.  
www.onsemi.com  
1
2
Features  
MARKING  
DIAGRAM  
• Low Capacitance 0.3 pF (Typical)  
• Low Clamping Voltage  
• Small Body Outline Dimensions: (0.62 x 0.32 mm) − 0201  
• Low Body Height: 0.3 mm  
PIN 1  
2 M  
X3DFN2  
CASE 152AF  
• Working Voltage: 18.5 V  
• Low Leakage < 1 nA (Typical)  
• Low Insertion Loss  
2
= Specific Device Code  
= Date Code  
M
• Low Dynamic Resistance: < 1 W  
• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
*Date Code orientation and/or position may vary de-  
pending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
†
Device  
Package  
Shipping  
Compliant  
ESD7181MUT5G  
X3DFN2  
(Pb−Free)  
10000 / Tape &  
Reel  
Typical Applications  
• RF Signal ESD Protection  
• Wireless Charger  
SZESD7181MUT5G X3DFN2  
(Pb−Free)  
15000 / Tape &  
Reel  
• RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection  
• Near Field Communications  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
15  
Unit  
kV  
kV  
A
IEC 61000−4−2 (ESD) (Note 1) Air  
IEC 61000−4−2 (ESD) (Note 1) Contact  
IEC 61000−4−5 (ESD) (Note 2)  
12  
1
Total Power Dissipation (Note 3) @ T = 25°C  
°P °  
250  
400  
mW  
°C/W  
A
D
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum  
(10 Second Duration)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−2 waveform.  
A
2. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−5 waveform.  
A
3. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR−4  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
May, 2016 − Rev. 6  
ESD7181MU/D  
 
123456

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