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ES6U2T2R PDF预览

ES6U2T2R

更新时间： 2024-09-17 20:50:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 2230K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, WEMT6, 6 PIN

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ES6U2T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.95
其他特性：ESD PROTECTED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ES6U2T2R 数据手册

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ES6U2  
Datasheet  
llAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
< Diode >  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
VRM  
VR  
Value  
25  
Unit  
V
20  
V
IF  
Forward current  
0.5  
2.0  
5  
150  
A
*3  
IFSM  
Forward current surge peak  
Power dissipation  
A
*2  
PD  
W/element  
Tj  
Junction temperature  
℃
< MOSFET + Diode >  
Parameter  
Power dissipation  
Symol  
alue  
0.8  
Unit  
W/total  
℃
*2  
PD  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-5 to +150  
llElectrical characteristics (Ta = 25°C
< MOSFET >  
Values  
Parameter  
Symbol  
IGSS  
Conditions  
= ±10V, V = 0V  
Unit  
Min.  
-
Typ. Max.  
V
Gate - Source lee current  
-
±10  
μA  
V
GS  
DS  
Drain - Source breadown  
voltage  
VBR)DSS  
= 0V, I = 1mA  
20  
-
-
-
GS  
D
Zero goltage  
din cnt  
IDSS  
V
DS  
= 20V, V = 0V  
-
1
μA  
V
GS  
VGS(th)  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
= 10V, I = 1mA  
athreshold voltage  
0.3  
-
1.0  
180  
240  
310  
600  
D
= 4.5V, I = 1.5A  
-
-
-
-
130  
170  
220  
300  
D
= 2.5V, I = 1.5A  
D
Static drain - source  
on - state resistance  
*4  
RDS(on)  
mΩ  
S
= 1.8V, I = 0.8A  
D
= 1.5V, I = 0.3A  
D
Forward Transfer  
Admittance  
|Y |*4  
V
DS  
= 10V, I = 1.5A  
1.6  
-
-
fs  
D
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ
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ꢀ
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ꢀ
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www.rohm.com  
© 2016 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
2/12  
20160711 - Rev.001  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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