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ES6U42

更新时间： 2022-11-01 22:23:30
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罗姆 - ROHM 驱动
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6页 225K
描述
2.5V Drive Pch+SBD MOSFET

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ES6U42 数据手册

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2.5V Drive Pch+SBD MOSFET  
ES6U42  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon P-channel MOSFET /  
Schottky barrier diode  
WEMT6  
(6) (5) (4)  
zFeatures  
1) Pch MOSFET and schottky barrier diode  
are put in WEMT6 package.  
(1) (2) (3)  
2) High-speed switching, Low On-resistance.  
3) Low voltage drive (2.5V drive).  
4) Built-in Low VF schottky barrier diode.  
Abbreviated symbol : U42  
zApplications  
Switching  
zPackage specifications  
zInner circuit  
Package  
Taping  
T2R  
(6)  
(4)  
(5)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
ES6U42  
∗2  
(1)Gate  
(2)Source  
(3)Anode  
(4)Cathode  
(5)Drain  
∗1  
(1)  
(2)  
(3)  
∗1 ESD protection diode  
∗2 Body diode  
(6)Drain  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
<MOSFET>  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
Limits  
−20  
12  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-source voltage  
V
Continuous  
Pulsed  
A
1.0  
Drain current  
∗1  
∗1  
IDP  
A
4.0  
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
A
−0.4  
−4.0  
150  
0.7  
ISP  
A
Channel temperature  
Power dissipation  
Tch  
PD  
°C  
∗2  
W / ELEMENT  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board  
<Di>  
Parameter  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
25  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
20  
V
0.5  
2.0  
IF  
Forward current  
A
∗1  
IFSM  
Forward current surge peak  
Junction temperature  
Power dissipation  
A
°C  
Tj  
PD  
150  
0.5  
∗2  
W / ELEMENT  
∗1 60Hz 1cycle  
∗2 Mounted on a ceramic board  
<MOSFET and Di>  
Parameter  
Symbol  
Limits  
0.8  
Unit  
W / TOTAL  
°C  
∗
Power dissipation  
Range of storage temperature  
PD  
Tstg  
−55 to +150  
∗
Mounted on a ceramic board  
www.rohm.com  
c
2009.01 - Rev.A  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/5  
123456

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