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ES6U3T2CR

更新时间： 2024-02-22 00:32:25

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罗姆 - ROHM		/
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14页	1878K
描述
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

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ES6U3T2CR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	7.97
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

ES6U3T2CR 数据手册

ES6U3

Datasheet

ꢀꢀNch 30V 1.4A Small Signal MOSFET + Schottky Barrier Diode

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

SOT-563T

V_DSS

30V

240mΩ

±1.4A

0.8W

R_DS(on)(Max.)

WEMT6

I_D

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llFeatures

llInner circuit

1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are

ꢀꢀput in WEMT6 package.

2) High-speed switching and Low on-

ꢀꢀresistance.

3) Built-in Low V schottky barrier diode.

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

llApplication

Reel size (mm)

180

Switching

Tape width (mm)

Type

Basic ordering unit (pcs)

8000

T2R

U03

Taping code

Marking

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

< MOSFET >

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

Drain - Source voltage

Gate - Source voltage

±20

±1.4

±2.8

0.5

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_DP

Continuous source current (body diode)

Pulsed source current (body diode)

Power dissipation

2.8

W/element

℃

P_D

0.7

T_j

Junction temperature

150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20160711 - Rev.001

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与ES6U3T2CR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ES6U3T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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ES6U41_12	ROHM	2.5V Drive Nch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U41T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
ES6U42	ROHM	2.5V Drive Pch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U42T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格