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ES6U3T2CR

更新时间： 2024-01-14 21:21:46

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罗姆 - ROHM		/
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14页	1878K
描述
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

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ES6U3T2CR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	7.97
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

ES6U3T2CR 数据手册

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ES6U3

Datasheet

llAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

< Diode >

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

I_F

Forward current

0.5

2.0

0.5

150

I_FSM

Forward current surge peak

Power dissipation

P_D

W/element

T_j

Junction temperature

℃

< MOSFET + Diode >

Parameter

Power dissipation

Symbol

Value

0.8

Unit

W/total

℃

P_D

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

llElectrical characteristics (T_a= 25°C)

< MOSFET >

Values

Parameter

Symbol

I_GSS

Conditions

= ±20V, V = 0V

Unit

Min.

Typ. Max.

Gate - Source leakage current

±10

μA

Drain - Source breakdown

voltage

V_(BR)DSS

= 0V, I = 1mA

Zero gate voltage

drain current

I_DSS

= 30V, V = 0V

μA

V_GS(th)

= 10V, I = 1mA

Gate threshold voltage

1.0

2.5

240

350

380

= 10V, I = 1.4A

170

250

270

Static drain - source

on - state resistance

R_DS(on)

= 4.5V, I = 1.4A

mΩ

= 4V, I = 1.4A

Forward Transfer

Admittance

|Y |^*4

= 10V, I = 1.4A

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www.rohm.com

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20160711 - Rev.001

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与ES6U3T2CR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ES6U3T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
ES6U41	ROHM	2.5V Drive Nch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U41_12	ROHM	2.5V Drive Nch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U41T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
ES6U42	ROHM	2.5V Drive Pch+SBD MOSFET	获取价格
ES6U42T2R	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格