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ES6U41

更新时间： 2024-02-07 03:42:25
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罗姆 - ROHM 驱动
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6页 177K
描述
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET

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ES6U41  
Transistors  
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET  
ES6U41  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET /  
Schottky barrier diode  
WEMT6  
(6) (5) (4)  
zFeatures  
1) Nch MOSFET and schottky barrier diode  
are put in WEMT6 package.  
(1) (2) (3)  
2) High-speed switching, Low On-resistance.  
3) Low voltage drive (2.5V drive).  
4) Built-in Low VF schottky barrier diode.  
Abbreviated symbol : U41  
zApplications  
Switching  
zPackage specifications  
zInner circuit  
(6)  
(4)  
(5)  
Package  
Taping  
T2R  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
ES6U41  
∗2  
(1)Gate  
(2)Source  
(3)Anode  
(4)Cathode  
(5)Drain  
∗1  
(1)  
(2)  
(3)  
∗1 ESD protection diode  
∗2 Body diode  
(6)Drain  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
<MOSFET>  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
30  
Unit  
V
12  
Gate-source voltage  
V
Continuous  
Pulsed  
1.5  
A
Drain current  
∗1  
IDP  
IS  
6.0  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
0.75  
6.0  
A
∗1  
∗2  
ISP  
Tch  
PD  
A
°C  
Channel temperature  
Power dissipation  
150  
0.7  
W / ELEMENT  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board  
<Di>  
Parameter  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
25  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
20  
V
0.5  
2.0  
IF  
Forward current  
A
∗1  
IFSM  
Forward current surge peak  
Junction temperature  
Power dissipation  
A
°C  
Tj  
PD  
150  
0.5  
∗2  
W / ELEMENT  
∗1 60Hz 1cycle  
∗2 Mounted on ceramic board  
1/5  
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