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ES2F-E3/52T

更新时间： 2024-09-13 19:46:27

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威世 - VISHAY		功效光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode

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ES2F-E3/52T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.86
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

ES2F-E3/52T 数据手册

ES2F, ES2G

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ideal for automated placement

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-214AA (SMB)

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectification and freewheeling

application in switching mode converters and inverters for

consumer, computer, and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2.0 A

V_RRM

I_FSM

300 V, 400 V

50 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AA (SMB)

t_rr

35 ns

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

V_Fat I_F

1.1 V

T_Jmax.

Package

Diode variations

150 °C

DO-214AA (SMB)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

ES2F

ES2G

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RWM

V_RMS

I_F(AV)

300

225

210

400

300

280

Maximum average forward rectified current at T_L= 110 °C

2.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Revision: 30-Oct-13

Document Number: 88588

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ES2F-E3/55T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, P
ES2F-HE3/52T	VISHAY	获取价格	DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN,
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