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ES2F-HE3/52T

更新时间： 2024-12-01 20:05:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode

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ES2F-HE3/52T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.56
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

ES2F-HE3/52T 数据手册

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ES2F, ES2G  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Ideal for automated placement  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
DO-214AA (SMB)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
IFSM  
trr  
300 V, 400 V  
50 A  
Case: DO-214AA (SMB)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
35 ns  
VF  
1.1 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
TJ max.  
150 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
ES2F  
EF  
ES2G  
EG  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VRMS  
IF(AV)  
300  
225  
210  
400  
300  
280  
V
V
Maximum RMS voltage  
V
A
Maximum average forward rectified current at TL = 110 °C  
2.0  
50  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Revision: 07-Feb-12  
Document Number: 88588  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES2FHE3/5BT VISHAY

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 		DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN,
ES2F-HE3/5BT VISHAY

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 		DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN,
ES2FHE3_A/H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, P
ES2F-M3 VISHAY

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ES2FQ YANGJIE

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