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ES1EFL

更新时间： 2024-02-23 13:50:23
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 316K
描述
1.0A patch fast recovery diode 300V SOD-123 series

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ES1EFL 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.7 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：1.5 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

ES1EFL 数据手册

 浏览型号ES1EFL的Datasheet PDF文件第2页 
ES1AFL - ES1JFL  
SUFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER DIODE  
VOLTAGE RANGE: 50 - 600V  
CURRENT: 1.0A  
Features  
Glass passivated device  
Ideal for surface mouted applications  
Low reverse leakage  
!
!
!
Metallurgically bonded construction  
High temperature soldering guaranteed:  
250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
!
!
B
C
E
SOD-123FL  
5 lbs. (2.3kg) tension  
Dim Min Max  
Typ  
3.58 3.72 3.65  
2.72 2.78 2.75  
1.77 1.83 1.80  
1.02 1.08 1.05  
0.097 1.03 1.00  
0.13 0.17 0.15  
0.53 0.57 0.55  
Mechanical Data  
A
B
C
D
E
H
L
Case: SOD-123FL  
plastic body over passivated junction  
!
D
H
Terminals  
!
: Plated axial leads,  
L
Method 2026  
solderable per MIL-STD-750,  
Polarity  
!
!
: Color band denotes cathode end  
All Dimensions in mm  
Mounting Position  
: Any  
E
Weight  
:0.0007 ounce, 0.02 grams  
!
A
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Symbol  
ES1AFL ES1BFL ES1CFL ES1DFL ES1EFL ES1GFL ES1JFL  
Characteristic  
Unit  
Marking  
1AF  
1BF  
100  
70  
1JF  
600  
420  
600  
1GF  
400  
280  
400  
1CF  
1DF  
1EF  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
150  
300  
VOLTS  
200  
VRRM  
VRMS  
35  
50  
105  
150  
210  
300  
140  
200  
VOLTS  
VOLTS  
Maximum DC blocking voltage  
V
100  
DC  
Maximum average forward rectified current  
I(AV)  
IFSM  
1.0  
Amp  
Amps  
Volts  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
25.0  
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at1.0A  
1.7  
1.25  
0.95  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA =25 C  
5.0  
100.0  
µ
A
TA =100 C  
trr  
ns  
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)  
Typical junction capacitance (NOTE 2)  
35  
10  
CJ  
pF  
K/W  
C
R
85  
Typical thermal resistance (NOTE 3)  
θJA  
Operating junction and storage temperature range  
TJTSTG  
-55 to +150  
,
Note:  
1.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3.PCB mounted on 0.2*0.2" (5.0*5.0mm) coppeer pad area.  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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