EN25F40-100VI

更新时间： 2024-09-17 04:41:11

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4 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

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EN25F40-100VI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SON, SOLCC8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
端子数量：	8	字数：	524288 words
字数代码：	512000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SON
封装等效代码：	SOLCC8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

EN25F40-100VI 数据手册

EN25F40

4 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

FEATURES

- Write Protect all or portion of memory via

• Single power supply operation

software

- Full voltage range: 2.7-3.6 volt

- Enable/Disable protection with WP# pin

• 4 Mbit Serial Flash

• High performance program/erase speed

- 4 M-bit/512 K-byte/2048 pages

- Page program time: 1.5ms typical

- 256 bytes per programmable page

- Sector erase time: 150ms typical

- Block erase time 800ms typical

- Chip erase time: 5 Seconds typical

• High performance

- 100MHz clock rate

• Low power consumption

- 5 mA typical active current

- 1 μA typical power down current

• Lockable 256 byte OTP security sector

• Minimum 100K endurance cycle

• Package Options

• Uniform Sector Architecture:

- 128 sectors of 4-Kbyte

- 8 blocks of 64-Kbyte

- Any sector or block can be

erased individually

- 8 pins SOP 150mil body width

- 8 pins SOP 200mil body width

- 8 contact VDFN

- 8 pins PDIP

- All Pb-free packages are RoHS compliant

• Software and Hardware Write Protection:

• Commercial and industrial temperature

Range

GENERAL DESCRIPTION

The EN25F40 is a 4M-bit (512K-byte) Serial Flash memory, with advanced write protection

mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to

256 bytes at a time, using the Page Program instruction.

The EN25F40 is designed to allow either single Sector at a time or full chip erase operation. The

EN25F40 can be configured to protect part of the memory as the software protected mode. The device

can sustain a minimum of 100K program/erase cycles on each sector.

This Data Sheet may be revised by subsequent versions

or modifications due to changes in technical specifications.

Rev. B, Issue Date: 2007/05/09

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