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EN25F40-75HI

更新时间： 2024-09-17 04:41:11

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EON		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
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33页	462K
描述
4 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

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EN25F40-75HI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP8,.3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	75 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	端子数量：	8
字数：	524288 words	字数代码：	512000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

EN25F40-75HI 数据手册

EN25F40

4 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

FEATURES

- Write Protect all or portion of memory via

• Single power supply operation

software

- Full voltage range: 2.7-3.6 volt

- Enable/Disable protection with WP# pin

• 4 Mbit Serial Flash

• High performance program/erase speed

- 4 M-bit/512 K-byte/2048 pages

- Page program time: 1.5ms typical

- 256 bytes per programmable page

- Sector erase time: 150ms typical

- Block erase time 800ms typical

- Chip erase time: 5 Seconds typical

• High performance

- 100MHz clock rate

• Low power consumption

- 5 mA typical active current

- 1 μA typical power down current

• Lockable 256 byte OTP security sector

• Minimum 100K endurance cycle

• Package Options

• Uniform Sector Architecture:

- 128 sectors of 4-Kbyte

- 8 blocks of 64-Kbyte

- Any sector or block can be

erased individually

- 8 pins SOP 150mil body width

- 8 pins SOP 200mil body width

- 8 contact VDFN

- 8 pins PDIP

- All Pb-free packages are RoHS compliant

• Software and Hardware Write Protection:

• Commercial and industrial temperature

Range

GENERAL DESCRIPTION

The EN25F40 is a 4M-bit (512K-byte) Serial Flash memory, with advanced write protection

mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to

256 bytes at a time, using the Page Program instruction.

The EN25F40 is designed to allow either single Sector at a time or full chip erase operation. The

EN25F40 can be configured to protect part of the memory as the software protected mode. The device

can sustain a minimum of 100K program/erase cycles on each sector.

This Data Sheet may be revised by subsequent versions

or modifications due to changes in technical specifications.

Rev. B, Issue Date: 2007/05/09

12 3 4 5 6 7...33

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