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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.338 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMG5DXV5T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias |
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| EMG5DXV5T5 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias |
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| EMG5DXV5T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias |
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| EMG5T2R | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
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| EMG6 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| EMG6_09 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| EMG6T2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, EMT5, 5 |
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| EMG8 | HTSEMI |
获取价格 |
dual digital transistors ( NPN+ NPN) |
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| EMG8 | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
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| EMG8 | CJ |
获取价格 |
SOT-553 |
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