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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-107 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 68 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMG6 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| EMG6_09 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| EMG6T2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, EMT5, 5 |
|
| EMG8 | HTSEMI |
获取价格 |
dual digital transistors ( NPN+ NPN) |
|
| EMG8 | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
|
| EMG8 | CJ |
获取价格 |
SOT-553 |
|
| EMG8 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
|
| EMG8T2R | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors |
|
| EMG9 | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
|
| EMG90-H15MMKLAR | PHOENIX |
获取价格 |
Terminal Block Accessory |
|
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