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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-107 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 1.74 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FMG9AT148 | ROHM |
类似代替  |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| UMG9NTR | ROHM |
类似代替 |
EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Tra |
|
| RN1501(TE85L) | TOSHIBA |
功能相似 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMGC-60-P-G12-SEC-67 | FESTO |
获取价格 |
Gearbox |
|
| EMGC-60-P-G4-SEC-67 | FESTO |
获取价格 |
Gearbox |
|
| EMGC-60-P-G5-SEC-67 | FESTO |
获取价格 |
Gearbox |
|
| EM-GK | HRS |
获取价格 |
连接器类型:其他;部件部分:Coding key;安全规格:TüV;额定电流:70.0 A |
|
| EMH1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| EMH1 | HTSEMI |
获取价格 |
(dual digital transistors) |
|
| EMH1 | CJ |
获取价格 |
SOT-563 |
|
| EMH1 | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-563 |
|
| EMH1_0411 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| EMH1_1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
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