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EMG8

更新时间： 2024-02-04 01:13:45

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	435K
描述
dual digital transistors ( NPN+ NPN)

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EMG8 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz

EMG8 数据手册

EMG8

dual digital transistors (NPN+NPN)

SOT-553

FEATURES

Two DTC143Z chips in a package

Mounting cost and area can be cut in half

Marking: G8

Equivalent circuit:

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

Symbol

V_CC

V_i

Parameter

Supply Voltage

Value

Units

Input voltage

-5~30

100

Output current

℃

I_O

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

P_D

150

T_J

-55~+150

T_stg

℃

Electrical Characteristics (T_a=25℃)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Input turn-on voltage

Input cut-off voltage

Output voltage

V_i(on)

V_i(off)

V_O(on)

I_i

V_CC=0.3V, I_O=5mA

1.3

V_CC=5V, I_O=100µA

0.5

0.3

1.8

0.5

I_O=5mA, I_i=0.25mA

V_i=5V

Input cut-off current

Output cut-off current

DC current gain

µA

I_O(off)

G_i

V_CC=50V, V_i=0

V_O=5V, I_O=10mA

V_CE=10V, I_C=5mA, f =100MHz

Transition frequency

Input resistance

f_T

250

MHz

R₁

3.29

6.11

KΩ

Resistance ratio

R₂/R₁

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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