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EMG8 PDF预览

EMG8

更新时间： 2024-02-27 22:22:42
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Emitter common (dual digital transistors)

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EMG8 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz

EMG8 数据手册

 浏览型号EMG8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EMG8的Datasheet PDF文件第3页 
EMG8 / UMG8N / FMG8A  
Transistors  
Emitter common  
(dual digital transistors)  
EMG8 / UMG8N / FMG8A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMG8  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
(
(
)
)
4
5
1.2  
1.6  
zStructure  
Each lead has same dimensions  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(Built-in resistor type)  
ROHM  
: EMT5  
Abbreviated symbol : G8  
UMG8N  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2.  
1.25  
2.1  
0.1Min.  
zEquivalent circuit  
Each lead has same dimensions  
EMG8 / UMG8N  
FMG8A  
ROHM  
EIAJ  
:
UMT5  
:
SC-88A  
(3)  
(4)  
(5)  
(3)  
(2)  
(1)  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
Abbreviated symbol : G8  
R
1
R1  
R
1
R1  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
DTr2  
DTr1  
DTr2  
DTr1  
FMG8A  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
1.6  
2.8  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
ROHM  
EIAJ  
:
SMT5  
Supply voltage  
V
CC  
50  
30  
V
:
SC-74A  
Abbreviated symbol : G8  
Input voltage  
VIN  
V
−5  
I
O
100  
100  
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
1
∗
2
∗
EMG8, UMG8N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
dissipation  
Pd  
mW  
FMG8A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/2  
123

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EMG8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UMG11NTR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-88A,
FMG11AT148 ROHM

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 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SMT5, S
EMG11T2R ROHM

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与EMG8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EMG8T2R ROHM

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 		NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors
EMG9 ROHM

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 		Emitter common (dual digital transistors)
EMG90-H15MMKLAR PHOENIX

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 		Terminal Block Accessory
EMG9T2R ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, EMT5, 5
EMGC-60-P-G12-SEC-67 FESTO

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 		Gearbox
EMGC-60-P-G4-SEC-67 FESTO

获取价格

 		Gearbox
EMGC-60-P-G5-SEC-67 FESTO

获取价格

 		Gearbox
EM-GK HRS

获取价格

 		连接器类型:其他;部件部分:Coding key;安全规格:TüV;额定电流:70.0 A
EMH1 ROHM

获取价格

 		General purpose (dual digital transistors)
EMH1 HTSEMI

获取价格

 		(dual digital transistors)

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