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EMF90P02A

更新时间： 2024-11-07 17:15:43

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杰力科技 - EXCELLIANCE		/
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5页	178K
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TO252-2

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EMF90P02A 数据手册

EMF90P02A

P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary:

BV^DSS

RDSON (MAX.)

‐20V

90mΩ

‐10A

Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

SYMBOL

LIMITS

±12

‐10

UNIT

Gate‐Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100 °C

‐6.5

‐40

Pulsed Drain Current¹

I_DM

T_C= 25 °C

Power Dissipation

P_D

°C

T_C= 100 °C

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

‐55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

THERMAL RESISTANCE

Junction‐to‐Case

Junction‐to‐Ambient

SYMBOL

R_JC

TYPICAL

MAXIMUM

UNIT

°C / W

110

R_JA

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

²Duty cycle  1％

2012/12/26

p.1

12 3 4 5

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