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EMFA0P02M

更新时间： 2024-09-17 17:15:23

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杰力科技 - EXCELLIANCE		/
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5页	192K
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SOT323-3

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EMFA0P02M 数据手册

EMFA0P02M

P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary:

BV^DSS

‐20V

130mΩ

‐1.6A

DSON (MAX.)

Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

SYMBOL

LIMITS

±12

UNIT

Gate‐Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

‐1.6

Continuous Drain Current

I_D

T_A= 70 °C

‐1.2

Pulsed Drain Current¹

I_DM

‐6.4

T_A= 25 °C

0.29

Power Dissipation

P_D

°C

T_A= 70 °C

0.19

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

‐55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

THERMAL RESISTANCE

Junction‐to‐Ambient

Junction‐to‐Lead

SYMBOL

R_JA

TYPICAL

MAXIMUM

UNIT

425

320

°C / W

R_JL

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

²Duty cycle  1％

2016/12/16

p.1

12 3 4 5

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